英特尔高管：将来，芯片的制造将减少EUV ASML光刻

英特尔高管：将来，芯片的制造将减少EUV ASML光刻机器的依赖，并增强蚀刻技术的中心位置 英特尔高管：将来，芯片的制造将减少EUV ASML光刻机器的依赖，并增强蚀刻技术的中心位置 2025年6月21日20:47 这是一所房子 他在6月21日报道说，根据Tegus Investment Research Platform的讨论内容，英特尔的匿名董事将来表示，晶体管设计将减少其对高级光刻设备的依赖，而将改善蚀刻技术的核心位置。他认为，新结构的开发，例如完全包围的门场效应晶体管（主页注：加菲特）和互补的田间效应晶体管（CFET）将削弱对高端芯片制造中光刻的一般需求。当前的芯片制造商ING过程：光刻链接：ASML极端紫外线（EUV）和数值开口（高NA）光刻机器将电路的设计转移到传输后的链接：通过沉积过程添加材料，并通过雕刻过程选择性地消除材料以选择晶体管结构。英特尔总监强调，3D跨性结构（例如Gaafets和cfes）必须“从各个方向包裹门”，并且水平消除多余的材料是关键。 “制造商专注于通过雕刻工艺消除材料，而不是延长光刻机器晶片的处理时间并降低功能尺寸。” ▲TSMC PPT说明了晶体管的演变。对于当前的技术解决方案，EFFTO末端场（FING）的大多数主要晶体管。这将晶体管底部的绝缘材料连接起来，使电流通过门以完成控制。同时，新的设计主要包括：GAFET：并行组织门包裹晶体管和晶体群。 CFET：跨性基团的垂直堆栈允许英特尔信息晶圆导演。”表示将制造芯片，说三维结构不仅达到了平面的高密度，而且还可以降低最小功能尺寸的依赖性，这可以通过垂直堆叠来实现。 “因此，高级流程中数值开口的高态度计算机的重要性“低于当前EUV设备在更先进和最先进的技术节点中的关键位置”。