如何预测和抑制电磁干扰

电子设备通常具有一定程度的电磁干扰免疫（EMI）。但是，故意或不需要的电磁力也会引起信息失真，尤其是在计算机设备（CES）附近。为了减少EMI并保证噪声免疫，您必须在CE开发中采取早期措施。它在本文中引用。很多时候，它可以存在于具有较大几何尺寸，电线，飞机机身，车身，建筑物内的金属结构的电磁环境中，建筑物，射线放电等。 EMI的物理模拟可用于预测CE组件的噪声免疫。在免疫力和CE信息保护框架内很少研究的任务是由于建造中金属结构元素的故意电磁作用。电线，飞机机身等也可能受到故意电磁效应的影响。 EMI PhysiCS模拟使创建真实的物理量表变得困难。研究对象的模棱两可的结构使得很难获得可重复的结果。可以使用物理模拟技术解决此问题。这些是步骤。 1。设计师可以确定有关该主题的所有重要初始数据。这些参数会影响电磁环境和EMI的形成。例如，我们将采用尺寸为10.8 x 10.8 x 14.4 m的体系结构。墙壁加固了混凝土网格（图1）。图1。建筑物的比例模型，墙壁上有钢网和钢筋混凝土。 （参考文献1中提供的图像）脉冲电流源以热水系统的平行送给供应和返回管道连接。建筑物中的EMI的“接收器”是CE通信线，其载荷为R =50Ω，直径为100 mm（图2）。图2。这是一个干涉电路。 （Refe提供的图像rence 1）2。图3显示了短期故意按下电流源的潜在参数。对于具有较小地板的私人建筑物，提供了短脉冲电流影响的测试。当前幅度：1.25 ka当前周期：200μs图3。物理模拟的主要尺度因子。 （参考文献1中提供的图像）因此，Sononlectruction物理模拟的主尺度系数。 3。然后选择数学模型来计算EMI。计算物理模拟的二次量表因子。为了计算距离r处的磁势h（t）的强度，使用以下方程：h（t）= i（t）/4πr=（1/6i（t））/4πr（1/12），h（t）= h（t）/2，kh = 2用于在通信CE的线路中模拟EMI。 （DH（T）/DT）= 6U（12T）4。计算故意原点电流的比例参数参数（图4）。图4。计算故意原点的当前比例参数的值。 5。设计师是D在故意电流源的磁场的影响下，在CE通信线中浏览EMI的物理模拟研究表。 IgM 4.1发电机用作短电流的模拟器。使用Lecroy WR104MXI数字示波器作为测量仪器。 6。图5显示了比例模型构建中的通信线中测量的EMI（最接近故意电流发生器的连接点的测量点）。图5。在最接近故意电流发生器连接点的建筑物的比例模型的comu亚麻布中测量了EMI。 7。图6显示了EMI的物理建模导致建筑物内的CE通信线路。图6。这是建筑物内CE通信的实际线路中EMI物理建模的结果。单个阶段的EMI滤波器此类过滤器由公共模式冷凝器（CMC），CY和CX组成（图7）。布德圣技术研究所，经济大学和罗伯特·博世KFT。图7。此图是单个阶段的EMI滤波器的示意图（参考文献2中提供的图像）优先级设计是使用更精确的电路，该电路考虑了共同和差异模式中描述的CMC的不同行为。图8。建议使用具有独立常见和差分模块的更精确的电路表明THECMC7在共同和差异模式中的起作用不同。 （从参考文献2提供的图像）用户可以基于分散参数测量值（S P参数）的递归分析表征过程获得参数值。在这里，CMC是开放式式开放电路配置（OC）。它将被测量。 EMI效应标准电磁兼容性（EMC）无线医疗设备和环境测试提供了评估电气/电子设备电磁免疫的指导。但是，TH可能不足以确保高度可靠和安全的设备在预期的生命周期中可以按预期运行。 6例如，根据当前国际电气工程委员会（IEC）60601标准的医疗设备（HCE）必须能够抵抗10 V/m磁场。但是，SE在医疗环境中观察到更强的磁场。这表明这些标准可能需要解决问题的某些方面以改进以有效防止EMI。通常，在许多医疗情况下，避免接近敏感设备的干扰来源是一个挑战。目前的标准对这种情况并不令人满意。但是，最好的EMI标准假定同时只有一种干扰。但是，在实际环境中，电子设备可以在直接操作环境中同时面对多个电磁干扰。可靠性和安全性问题为了评估在这种情况下电子设备的免疫力。医疗环境中的电子设备应该能够抵抗EMI干扰的增加。射频识别（RFID）可以干扰密切关键的医疗设备。在实施此系统之前，设计人员必须强调识别RF干扰源的重要性。此外，EMI效应可能会受到接近关键医疗设备的无线发射器和反身材材料的影响。这需要仔细考虑保护材料。 EMI的预测和抑制摘要并不容易。特别是在治疗健康和医院场景中，设计师三维环境包括医疗设备，患者以及故意和故意来源。这些方法有助于管理和预测医疗保健中电磁兼容性，并保证医疗设备的可靠性和安全性。 1。“预测n在电磁干扰通过物理建模通过金属结构进行的影响下，计算机设备的免疫力。 Arnold Bingler（高级IEEE），Yang Kaixiang，Song Zhaohui，Guan Xingyin，Li Don Transaction，第71卷。席尔瓦。 Dominguez-Palacios，J。Bernal和M. M. Prats，Power Electronics的IEEE交易，第1卷。 33，第5号，第3975-3987页，2018年5月。8。10774，电信光学技术2017，1077417。1077417。101117/12.2303644。